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首頁產品展示分立半導體產品晶體管 - FET，MOSFET - 陣列FDC6561AN

FDC6561AN

型號: FDC6561AN

製造商: AMI Semiconductor/onsemi

Kovich-IC 型號: 73D-FDC6561AN

封裝: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

數據表: FDC6561AN.pdf

RoHs狀態: MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

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製造商AMI Semiconductor/onsemi
VGS（TH）（最大）@標識3V @ 250µA
技術MOSFET (Metal Oxide)
供應商設備封裝SuperSOT™-6
系列PowerTrench®
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓95mOhm @ 2.5A, 10V
功率 - 最大700mW
封裝/箱體SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
包裹Tape & Reel (TR)

工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds220pF @ 15V
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs3.2nC @ 5V
FET特點Logic Level Gate
漏極至源極電壓（Vdss）30V
電流 - 25°C連續排水（Id）2.5A
組態2 N-Channel (Dual)
基本產品編號FDC6561

1.FDC6561AN.pdf 2.FDC6561AN.pdf 3.FDC6561AN.pdf 4.FDC6561AN.pdf 5.FDC6561AN.pdf 6.FDC6561AN.pdf 7.FDC6561AN.pdf

類似規範

產品屬性
型號	FDC6561AN	FDC6312P	NVMFD5C672NLT1G	FDC6306P
製造商	onsemi	onsemi	onsemi	onsemi
組態	-	-	-	-
安裝類型	-	-	-	-
封裝/箱體	-	-	-	-
工作溫度	-	-	-	-
包裹	-	Bulk	Bulk	Bulk
供應商設備封裝	-	-	-	-
基本產品編號	-	-	-	-
電流 - 25°C連續排水（Id）	-	-	-	-
RDS（ON）（最大值）@標識，柵極電壓	-	-	-	-
漏極至源極電壓（Vdss）	-	-	-	-
VGS（TH）（最大）@標識	-	-	-	-
FET特點	-	-	-	-
輸入電容（Ciss）（Max）@ Vds	-	-	-	-
功率 - 最大	-	-	-	-
系列	-	*	*	*
技術	-	-	-	-
柵極電荷（Qg）（Max）@ Vgs	-	-	-	-

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